Ürün adı:MOSFET güç transistör
VDSlerin:307
Malzeme:Silikon
Ürün adı:MOSFET güç transistör
VDS:207
RDS (AÇIK) <35mΩ:(VGS = 4.5V)
Ürün adı:MOSFET güç transistör
Birleşme sıcaklığı::150℃
Malzeme:Silikon
Ürün adı:MOSFET güç transistör
VDS:207
Kimlik (VGS = 10V'da):13A
Ürün adı:MOSFET güç transistör
RDS (AÇIK) (VGS = 10V'da):<24mΩ
Malzeme:Silikon
Ürün adı:MOSFET güç transistör
Uygulama:Yüksek Frekans Anahtarlama
Malzeme:Silikon
Ürün adı:MOSFET güç transistör
Birleşme sıcaklığı::150℃
Malzeme:Silikon
Yapısı:Dikey yapı
V DSS Tahliye Kaynağı Gerilimi:-40 V
V GSS Kapısı-Kaynak Gerilimi:± 20 V
Ürün adı:MOSFET güç transistör
V DSS Tahliye Kaynağı Gerilimi:-60 V
V GSS Kapısı-Kaynak Gerilimi:± 20 V
Ürün adı:Mos Alan Etkili Transistör
V DSS Tahliye Kaynağı Gerilimi:30 V
V GSS Kapısı-Kaynak Gerilimi:± 20 V
Ürün adı:MOSFET güç transistör
V DSS Tahliye Kaynağı Gerilimi:30 V
V GSS Kapısı-Kaynak Gerilimi:± 20 V
Ürün adı:Mos Alan Etkili Transistör
V DSS Tahliye Kaynağı Gerilimi:60 V
V GSS Kapısı-Kaynak Gerilimi:± 25 V